Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2002.11a
- /
- Pages.358-361
- /
- 2002
The Study of membrane structure for FBAR and the deposition of ZnO piezoelectric thin film
ZnO압전박막을 이용한 FBAR에 대한 연구
- Lim, Seok-Jin (Department of Chemical Engineering, Kyungwon University) ;
- Kim, Jong-Sung (Department of Chemical Engineering, Kyungwon University)
- Published : 2002.11.07
Abstract
체적파 박막형 공진기 (FBAR: Film Bulk Acoustic wave Resonator)소자를 제조하여, 박막의 c축 우선 배향성을 조절하는 것이 FBAR 소자 특성을 확인하였다. 본 연구에서는 MEMS 공정에 의해 Membrane 구조의 FBAR(Film Bulk Acoustic wave Resonator) 소자를 구현하고자 하였다. 이를 위해 Si 기판을 Back-etching 하여 membrane 구조를 제작하였고 압전층으로 ZnO을 Sputtering 공정에 의해 증착 후, 공정 조건에 따른 우선 배향성을 관찰하였다.