Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2002.11a
- /
- Pages.9-12
- /
- 2002
Gate Length Optimization for Minimum Forward Voltage Drop of NPT IGBTs
최소 순방향 전압강하를 위한 NPT IGBT의 최적 게이트 길이 설계
- Park, Dong-Wook (School of Electronics Engineering, Ajou University) ;
- Choi, Yearn-Ik (School of Electronics Engineering, Ajou University) ;
-
Chung, Sang-Koo
(School of Electronics Engineering, Ajou University)
- Published : 2002.11.09
Abstract
NPT IGBT의 게이트 길이 최적화에 대해 수치 해석적으로 분석하였다. 게이트가 길어질 때 드리프트 영역의 전압강하는 급격히 감소하는 반면 소자 표면의 전압강하는 일정하게 증가하기 때문에 순방향 전압강하가 최소가 되는 게이트 길이를 얻을 수 있음을 보였고 시뮬레이션 결과에 부합하는 표면 전압 강하에 대한 해석적인 모델을 처음으로 제시하였으며 그 결과가 시뮬레이션과 잘 일치함을 보였다.
Keywords