간단하고 정확한 RF MOSFET의 기판효과 모델링과 파라미터 추출방법

A Simple and Accurate Parameter Extraction Method for Substrate Modeling of RF MOSFET

RF에서 동작하는 초미세 공정 MOS 트랜지스터의 기판 효과에 따른 기판회로망과 물리적 의미를 가지는 파라미터 추출법이 고려되었다. 제안된 기판 회로망에는 단일의 저항과 링 -형태의 기판 콘택에 의해 생성된 인덕터가 포함되었다 모델 파라미터는 최적화 과정없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성 을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정 된 S-파라미터로부터 추출된다. 제안된 기술은 다양한 크기 의 MOS 트랜지스터에 적용되어 졌다. 추출된 기 판 회 로망을 이 용한 가상실험 결과와 측정치는 약 30GHz까지 일치함을 검증하였다.

A substrate network model characterizing substrate effect of submicron MOS transistors for RF operation and its parameter extraction with physically meaningful values are presented. The proposed substrate network model includes a single resistance and inductance originated from ring-type substrate contacts around active devices. Model parameters are extracted from S-parameter data measured from common-bulk configured MOS transistors with floating gate and use where needed with out any optimization. The proposed modeling technique has been applied to various-sized MOS transistors. Excellent agreement the measurement data and the simulation results using extracted substrate network model up to 30GHz.