Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference (한국자기학회:학술대회 개요집)
- 2002.12a
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- Pages.54-55
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- 2002
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- 2233-9485(pISSN)
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- 2233-9574(eISSN)
GaAs/Pt hybrid device의 diode 특성에 관한 연구
- Lee, J. H. (Seoul National University, Korea Institute of Science and Technology) ;
- S. H. Jang (Seoul National University, Korea Institute of Science and Technolog) ;
- Kim, G. H. (Andong National University, Korea Institute of Science and Technolog) ;
- K. H. Oh (Seoul National Universit) ;
- Kim, K. Y. (Korea Institute of Science and Technology)
- Published : 2002.12.01
Abstract
최근 자성박막과 이를 이용해 전자의 스핀을 제어할 수 있게 되면서, 이를 이용한 자기미세소자에 대해 많은 연구가 이루어지고 있다. 그 중 자성 다층박막과 자성 터널 접합에 대한 연구가 많이 행해지고 있는데, Co/cu 다층박막으로 제조한 소자는 상온에서도 65%를 넘는 큰 자기저항비를 보여주고 있다[1]. 또 다른 자기전자소자로 스핀 밸브 트랜지스터(SVT)가 있다[2]. 스핀 밸브 트랜지스터는 두 반도체 기판 사이에 금속 박막을 다층으로 삽입된 구조로 구성되어있다. (중략)
Keywords