TMR Enhancement with Doubly Plasma Oxidation

  • Published : 2002.12.01

Abstract

기존의 TMR소자는 NRAM이나 TMR헤드 등의 상용목적을 위해 균일하면서도 치밀한 절연층을 제작하여 목적하는 MR비와 기준저항을 만들기 위해 주로 플라즈마산화법과 고밀도플라즈마를 채용한 성막장비를 사용한다. 완성된 TMR소자는 후열처리하거나 2개 이상의 절연막층을 형성하는 등 여러 가지 방안이 제시되고 있으나 각 방안별로 공정조건이 좁아 양산에 적용하기 곤란하거나, MR비가 급격히 저하하는 등의 문제를 가지고 있다. (중략)

Keywords