한국자기학회:학술대회 개요집 (Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference)

한국자기학회 (The Korean Magnetics Society)
권호 표지

스핀트로닉스 소재로 사용될 수 있는 HgCdTe의 물리적 성질 : Rashbar effect 와 Zeeman spin splitting

  • 발행 : 2002.12.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

최근 세계적 주목을 받고 있는 spin FET[1] 소자의 구현은 강자성 물질에 의하여 반도체에 주입된 spin 편향된 전자가 반도체 계면에 유도된 전기장의 영향을 받아 spin-orbit interaction을 하는 mechanism(Rashbar effect)이 근간을 이루고 있다. 작은 band gap을 가지는 반도체(narrow gap 반도체)는 작은 유효질량의 전자에 의해서 이러한 Rashbar effect[2]를 크게 할 수 있는 물질로서, spin FET 구현을 위한 강력한 후보이며, 요즘 한창 연구되고 있는 주제이기도 하다[3]. (중략)

키워드