한국전자파학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference)

한국전자파학회 (The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
권호 표지

GaAs p-HEMT를 이용한 Power LNA의 설계

The Implementation of Power LNA Using GaAs p-HEMT

  • 조삼렬 (광운대학교 전자공학부) ;
  • 김상우 (광운대학교 전자공학부) ;
  • 박동진 (광운대학교 전자공학부) ;
  • 김영 (광운대학교 전자공학부) ;
  • 김복기 (광운대학교 전자공학부)
  • 발행 : 2002.11.01
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초록

본 논문은 자기 바이어스(self bias)를 이용한 PCS 대역용 하이브리드 전력 저잡음 증폭기(power LNA) 모듈에 관한 것으로 GaAs p-HEMT 칩을 세라믹 기판에 실장하여 와이어 본딩과 주변 매칭을 통해 고주파 손실을 줄이고 온도 변화에 대한 안정성과 1.2㏈의 저잡음, 21~23㏈m의 P$_1$㏈를 실현하였다. 10mm$\times$10mm 크기로 표면 실장이 되도록 단자를 cut-line 형태로 모듈화 하여 안정성과 신뢰성을 향상시켰고 또한 저가격화를 실현하였다.

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