A Study on the Improvement of$0.1\mu\textrm{m}$ CMOSFET's Electrical Quality Using Self Aligned Silicide Process

티타늄샐리사이드 공정을 이용한 $0.1\mu\textrm{m}$ CMOSFET의 전기적 특성 개선

  • 엄금용 (성남기능대학 광전자과) ;
  • 최성진 (건국대학교 전자정보통신학과) ;
  • 조재영 (건국대학교 전자정보통신학과) ;
  • 오환술 (건국대학교 전자정보통신학과)
  • Published : 2002.06.01