향상된 단면연마 실리콘 웨이퍼가 화학적 기계적 연마에서 나노토포그래피에 미치는 영향의 스펙트럼 분석

Spectral Analysis of The Nanotopography Effect on Oxide CMP Using Improved Single-Side-Polished Si Wafer

  • 강현구 (한양대학교 첨단 반도체 소재/소자 개발연구소) ;
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  • 이원모 (한양대학교 첨단 반도체 소재/소자 개발연구소) ;
  • 박재근 (한양대학교 첨단 반도체 소재/소자 개발연구소) ;
  • 백운규 (한양대학교 세라믹공학과)
  • 발행 : 2002.05.01