Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2002.07a
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- Pages.354-357
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- 2002
The variation of C-V characteristics of thermal oxide grown on SiC wafer with the electrode formation condition
SiC 열산화막의 Electrode형성조건에 따른 C-V특성 변화
- Kang, M.J. ;
- Bahng, W. ;
- Song, G.H. ;
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Kim, N.K.
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Kim, S.C.
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Seo, K.S.
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Kim, H.W.
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Kim, E.D.
- 강민정 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 방욱 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 송근호 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
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김남균
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
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김상철
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
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서길수
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
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김형우
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
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김은동
(한국전기연구원 전력반도체그룹)
- Published : 2002.07.01
Abstract
Thermally grown gate oxide on 4H-SiC wafer was investigated. The oxide layers were grown at l150