MBE법으로 In-situ annealing에 의한 p-Hg1-xCdxTe/CdTe/GaAs(211)B 박막 성장

  • 류영선 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 송봉석 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 김현정 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 강태원 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 이해익 (우석대학교 물리학과) ;
  • 우용득 (우석대학교 물리학과)
  • 발행 : 2001.07.05