A Study on the Two Mixed Oxide Semiconductor $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ Solar Cell(II)

혼합 2원 산화물 반도체 $ITO_{(n)}/Si_{(p)}$ 태양전지에 관한 연구(II)

  • Published : 2001.07.10

Abstract

본 논문은 Substrate의 온도를 200[$^{\circ}C$]로 유지하며 진공 저항 가열 증착법을 이용하여 ITO/Si 태양전지를 제작한 후 그 전기적 특성을 조사하였다. 전지의 단락전류와 개방전압의 열처리 온도의존성은 약450[$^{\circ}C$]이상부터 증가하여 650[$^{\circ}C$]부근에서 최대치를 나타내었다. 단락전류와 열처리 시간과의 관계에서는 증착시간이 15분 정도에서 최대치를 나타내었다. 일정한 태양에너지 조도 하에서 $SnO_2$의 성분비율을 높여감에 따라 전지의 개방전압과 단락전류는 다소 감소한 후 일정한 값으로 안정되는 경향을 나타내었다.

Keywords