Improving quality of keyboard by analyzing Ag ion migration

키보드에서의 Ag Ion Migration 불량 개선사례

  • 하종신 (삼성전자(주) CS경영센터) ;
  • 최완수 (삼성전자(주) CS경영센터) ;
  • 이성수 (삼성전자(주) CS경영센터) ;
  • 김영복 (삼성전자(주) 컴퓨터 시스템(사))
  • Published : 2001.06.01

Abstract

컴퓨터 키보드의 시장 불량품을 분석한 결과 여러 키가 동시에 입력되는 현상이 다수 발생되는 것을 알 수 있었다. 정밀분석결과 이의 원인이 키보드 membrane의 패턴을 구성하는 은(Ag) paste의 ion migration발생에 의한 것임을 알 수 있었다. 재현실험을 통해 고온 고습한 환경에서 장시간 사용하다보면 membrane내부로 수분이 침투하여 패턴간에 Ag ion migration이 발생되어 키 동작 오류를 유발시킴을 알 수 있었다. 이에 대한 대책안으로 제조 원가에 크게 영향을 주지 않으면서 migration을 크게 억제할 수 있는 준방수 방식의 membrane을 채택하여 4$0^{\circ}C$, 90%RH 환경에서 최소 5년을 보증할 수 있는 키보드를 제작하였다. 또한, 키보드 membrane의 ion migration 시험시 정상사용 조건을 가속시킬 수 있는 재현 및 검증시험법(85$^{\circ}C$, 85%RH, 가속계수 17배)을 개발하였다.

Keywords