대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

$C_4F_{8}O_2$ 공정기체와 E-ICP를 이용한 산화막 식각

$SiO_2$ Etching in $C_4F_{8}$ Plasma by E-ICP

  • 송호영 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부) ;
  • 조수범 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부) ;
  • 이종근 (부천대학 전자과) ;
  • 오범환 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부) ;
  • 박세근 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부)
  • 발행 : 2001.06.01
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초록

Novel Enhanced Inductively Coupled Plasma is applied to etch $SiO_2$. Effect of $O_2$ or Ar addition to $C_{4}F_{8}$ gas is monitored by Optical Emission Spectroscopy and Quadrupole Mass Spectrometer. It is fund that Ar or $O_2$ dilution to $C_{4}F_{8}$ increases F emission intensity and decreases $CF_2$ intensity. However, the ac frequency to the Helmholtz coil decreases the F intensity and thus increases $CF_2$/F ratio. By adjusting the ac frequency, the optimum etch rate and PR to $SiO_2$ selectivity can be obtained in E-lCP.

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