한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집 (Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference)
- 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 추계 기술심포지움
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- Pages.185-188
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- 2001
징케이트처리시 아연입자의 핵 생성 및 성장거동과 초음파 교반 도입에 따른 아연입자의 Morphology 변화에 대한 연구
초록
본 연구는 알루미늄 기판 위에 징케이트 처리 시 생성되는 아연 입자들의 성장거동에 관하여 연구하였다. 알루미늄 기판 상에서 아연입자들은 기판 표면의 요철 꼭지점이나 모서리에서 먼저 생성되었고, (0001)면들이 적층되어 성장하였다. 또한 온도를 증가에 따른 성장속도를 증가시켜 징케이트 처리를 실시하였을 때 육방정계을 갖는 아연 입자의 경우 <1100> 결정방향으로 성장이 이루어져 불가사리 형태의 입자형태를 나타내었으며 초음파 교반에 의한 징케이트 처리를 하였을 경우 조밀하고 균일한 아연 막을 형성하였다.
키워드