Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

A New Vertical Channel LDMOS(lateral double diffused MOSFEET)

수직 방향 채널 LDMOS(lateral double diffused MOSFEET)

  • Lee, Seung-Chul (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Oh, Jae-Geun (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Choi, Yearn-Ik (School of Electrical Engineering Ajou University)
  • 이승철 (서울대학교 전기재료 및 소자 연구실) ;
  • 오재근 (서울대학교 전기재료 및 소자 연구실) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기재료 및 소자 연구실) ;
  • 최연익 (아주대학교 전자공학부)
  • Published : 2001.07.18
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Abstract

본 논문에서는 채널과 드리프트 영역을 트랜치 안쪽에 형성하여 소자 크기를 줄임으로서 항복전압을 감소시키지 않고 낮은 온 저항을 얻을 수 있는 새로운 수직방향 채널 LDMOS(Lateral Double Diffused MOSFET)를 제안한다. 기존의 LDMOS 구조와 비교 할 때 동일한 60V의 항복 전압에서 소자 크기가 4${\mu}m$로 줄어들었고 이에 따라 온 저항은 절반의 수준으로 (0.45 m${\Omega}cm^2$) 감소하였다. 또한 소자 크기의 감소로 인해 전력용 집적회로를 구성할 때 집적도가 두 배 가량 증가하게 된다.

Keywords