Proceedings of the Optical Society of Korea Conference (한국광학회:학술대회논문집)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

유전체덮개 양자우물 무질서공정에서 $SiN_{x}$ 덮개층 성장시 $NH_3$ 유량비 조절을 통한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 밴드갭 조절

  • 최원준 (한국과학기술연구원, 광기술연구센터) ;
  • 이희택 (광운대학교, 전자물리학과) ;
  • 우덕하 (한국과학기술연구원, 광기술연구센터) ;
  • 이석 (한국과학기술연구원, 광기술연구센터) ;
  • 김선호 (한국과학기술연구원, 광기술연구센터) ;
  • 조재원 (광운대학교, 전자물리학과)
  • Published : 2000.02.01
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Abstract

유전체 덮개층을 이용한 impurity free vacancy disordering (IFVD) 기술에 의한 양자우물구조의 밴드갭 조절기술은 양자우물을 갖는 광소자의 제작 및 광소자들의 한판 집적에 광범위하게 적용되어 왔다$^{(1-3)}$ . IFVD 기술의 핵심은 유전체 덮개층의 종류 및 그 특성을 적절히 조절함으로써 양자우물의 밴드갭 및 굴절율을 양자우물 기판상에서 공간적으로 조절하는 기술에 있다. 이러한 목적을 위해 SiN$_{x}$ , SiO$_2$, SrF$_2$ 및 WN$_{x}$ 와 같은 많은 유전체 덮개층에 관한 실험들이 진행되었다 $^{(1-6)}$ . (중략)

Keywords