한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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- Pages.303-305
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- 2000
초고주파대역용 소자를 위한 FeTaN 박막의 이방자계의 영향
The effect of anisotropy field of FeTaN thin films for ultraigh-hfrequency applications
- 류성룡 (홍익대학교 금속.재료공학과) ;
- 배석 (홍익대학교 금속.재료공학과) ;
- 정종한 (홍익대학교 금속.재료공학과) ;
- 김충식 (홍익대학교 금속.재료공학과) ;
- 남승의 (홍익대학교 금속.재료공학과) ;
- 김형준 (홍익대학교 금속.재료공학과)
- Ryu, Sung-Ryong ;
- Bae, Seok ;
- Jeong, Jong-Han ;
- Kim, Choong-Sik ;
- Nam, Seoung-Eui ;
- Kim, Hyoung-June
- 발행 : 2000.11.01
초록
The effect of anisotropy field on the high frequency magnetic characteristics of FeTaN films was investigated. Those films show good magnetic properties : 4