한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

RF Sputtering법에 의한 $SrBi_{2}Ta_{2}O_{9}$ 박막의 피로특성

Fatigue Properties of $SrBi_{2}Ta_{2}O_{9}$ Thin Film by RF Sputtering Method

  • 오열기 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 조춘남 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 정일형 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 김진사 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 신철기 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 최운식 (대불대학교 전기전자공학과) ;
  • 김충혁 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 이준웅 (한국전기전자재료학회장)
  • 발행 : 2000.07.01
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초록

Annealing dependencies of the fatigue properties of SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ thin films were observed as function of substrate temperature(400-50$0^{\circ}C$) by the rf magnetron sputtering method. With increasing annealing temperature from $600^{\circ}C$ to 85$0^{\circ}C$, flourite phase was crystalized to $650^{\circ}C$ and Bi-layered perovskite phase was crystalized above $700^{\circ}C$. The fatigue characteristics of SBT thin films deposited on Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si substrate did not change up to 101o switching cycles.s.

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