RIB 처리된 사파이어 기판을 이용하여 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과

POSTANNEALING EFFECT OF GaN ON REACTIVE ION BEAM PRETREATED SAPPHIRE

  • 이상진 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 변동진 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 홍창희 (전북대학교 반도체 물성연구센터) ;
  • 김긍호 (한국과학기술연구원)
  • 발행 : 2000.11.01