모델링 tool의 Interface를 이용한 리세스-게이트 4H-SiC MESFET의 DC 및 RF 특성분석

DC and RF Analysis of Recessed-Gate 4H-SiC MESFET using an interface of modeling tools

  • 박승욱 (명지대학교 세라믹공학과) ;
  • 신무환 (명지대학교 세라믹공학과) ;
  • 김종환 (명지대학교 산업디자인학과)
  • 발행 : 2000.11.01