Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Improvement of SiO$_2$Etching Characteristics by E-ICP

SiO$_2$식각 특성 개선을 위한 E-ICP와 ICP 식각 비교

  • 정재성 (인하대학교 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 김진우 (인하대학교 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 라상호 (인하대학교 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 오범환 (인하대학교 반도체 및 박막기술연구소) ;
  • 박세근 (인하대학교 반도체 및 박막기술연구소)
  • Published : 1999.11.01
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Abstract

The etch characteristics of E-ICP and ICP are compared for the improvement of SiO$_2$ etch Process. Etch rate and etch pattern profile are measured by $\alpha$ -step surface profiler and SEM, respectively. The E-ICP provides improved characteristics on etch rate and surface profile in comparison to ICP process.

Keywords