대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)
- 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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- Pages.970-973
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- 1999
Wet 게이트 산화막과 Nitride 산화막 소자의 특성에 관한 연구
A Study on Characteristics of Wet Gate Oxide and Nitride Oxide(NO) Device
초록
When the size of the device is decreased, the hot carrier degradation presents a severe problem for long-term device reliability. In this paper we fabricated & tested the 0.26
키워드