Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Analyses of Si$_3$N$_4$ thin film as parameters of the processes using PECVD for MMIC applications

PECVD를 이용한 Si$_3$N$_4$ 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용

  • 신재완 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 이복형 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 이성대 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 이일형 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 윤관기 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 전병철 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 양성환 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 이호준 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실) ;
  • 이진구 (동국대학교 전자공학과 반도체 및 집적회로 연구실)
  • Published : 1999.06.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

In this paper, we have studied the role of sources gases, SiH$_4$, NH$_3$ and $N_2$, to produce Si-N and Si-H bond in PECVD. The correlations of a deposition rate, a refractive index and a permitivity were investigated with the NH$_3$ flow rate of 6, 9 and 12 sccm, and SiH$_4$ flow rate of 20, 30 and 40 sccm, and substrate temperature of 150, 250 and 35$0^{\circ}C$. But the $N_2$ flow rate and chamber pressure were fixed at 55 sccm and 700mTorr. And then MIM capacitors were fabricated and tested for MMIC applications.

Keywords