Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 1999.06a
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- Pages.911-913
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- 1999
Characteristics of Transistors and Isolation as Trench Depth
트렌치 깊이에 따른 트랜지스터와 소자분리 특성
- 박상원 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실) ;
- 김선순 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실) ;
- 최준기 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실) ;
- 이상희 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실) ;
- 김용해 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실) ;
- 장성근 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실) ;
- 한대희 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실) ;
- 김형덕 (현대전자산업주식회사 선행기술연구소 소자연구 1실)
- Published : 1999.06.01
Abstract
Shallow Trench Isolation (STI) has become the most promising isolation scheme for ULSI applications. The stress of STI structure is one of several factors to degrade characteristics of a device. The stress contours or STI structure vary with the trench depth. Isolation characteristics of STI was analyzed as the depth of trench varied. And transistor characteristics was compared. Isolation punch-through voltage for n
Keywords