DC and RF Characteristics of Recessed Gate GaN MESFET

Recessred 게이트 구조 GaN MESFET의 DC 및 고주파 특성

  • 이원상 (LG 종합기술원 소자재료연구소 RF device 그룹) ;
  • 문동찬 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 신무환 (명지대학교 세라믹화학공학부 반도체재료/소자연구실)
  • Published : 1999.05.01