코발트 실리사이드를 도판트 소스로 이용한 폴리사이드 게이트의 전기적 특성

Electrical Properties of Polycide Gate Formed by Using Cobalt Silicide as Diffusion Source

  • 정연실 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 김시중 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 김주연 (수원대학교 전자재료공학과) ;
  • 배규식 (수원대학교 전자재료공학과)
  • 발행 : 1999.05.01