Physical Properties of Boron Doped Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Thin Films Prepared by PECVD

PECVD법으로 제조된 B-doped 수소화된 비정질 실리콘카바이드 박막의 물성

  • 김현철 (울산대학교 재료금속공학부) ;
  • 신혁재 (울산대학교 재료금속공학부) ;
  • 이재신 (울산대학교 재료금속공학부)
  • Published : 1999.05.01