Morphological and structural characteristics of homoepitaxial 4H-SiC thin films by chemical vapor deposition using bis-trimethylsilylmethane precursor

유기화합물 원료물질을 이용한 화학기상증착법에 의한 동종 4H-SiC 박막의 표면 및 구조적 특성에 관한 연구

  • 정재경 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 나훈주 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 엄명윤 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 김상덕 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 김형준 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 1999.11.01