한국진공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference)
- 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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- Pages.91-91
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- 1999
Fe ion을 주입한 1.55$\mu\textrm{m}$ MQW 레이저 다이오드의 전기적 절연 특성
- 강병권 (연세대학교 물리학과) ;
- 김태곤 (연세대학교 물리학과) ;
- 박윤호 (KIST 광기술연구센터) ;
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우덕하
(KIST 광기술연구센터) ;
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이석
(KIST 광기술연구센터) ;
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김선호
(KIST 광기술연구센터) ;
- 강광남 (KIST 광기술연구센터) ;
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송종한
(KIST 특성분석센터) ;
- 황정남 (연세대학교 물리학과) ;
- 박승한 (연세대학교 물리학과)
- Kang, Byung-Kwon ;
- Kim, Tae-Gon ;
- Park, Yoon-Ho ;
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Woo, Deok-Ha
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Lee, Seok
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Kim, Sun-Ho
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- Kang, Gwang-Nam ;
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Song, Jong-Han
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- Hwang, Jung-Nam ;
- Park, Seung-Han
- 발행 : 1999.07.01
초록
광소자 기술은 정보 전달 및 저장 기술의 지속적인 증가 요구에 따라 발전을 거듭하여 왔다. 특히 광통신 및 저장 기술에서 광원으로 사용되는 레이저 다이오드는 안정되면서 쉽게 제작할 수 있어야 한다. 이온 주입 방법은 반도체 공정에서 광범위하게 사용되는 공정이며 이미 소자측면에서 안정성이 확보되었다고 볼 수 있으나 대부분 메모리 등의 실리콘 반도체에서 이용되어 왔다. 최근에는 화합물 반도체 분야에서도 적용하는 예가 증가되고 있으나 광원으로 사용되는 레이저 다이오드의 경우는 우수한 품질의 반도체 층이 요구되며 따라서 damage가 큰 이온 주입 방법을 이용한 연구는 아직 많이 이루어져 있지 않다. 본 연구에서는 레이저 다이오드 구조의 성장측에 국부적으로 Fe 이온을 주입하여 도파로를 형성하여 광을 구속하여 도파시키는 동시에 전기적으로도 도파로 부분으로만 다이오드가 형성되도록 하고자 한다. 먼저 p층의 전기적 절연에 필요한 조건을 확보하기 위하여 CBE를 사용하여 Fe가 doping 된 SI-InP wafer 위에 p-InP (Be:5x1017 cm-3)층을 1.2
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