Cl2-based dry etching of GaN and InGaN using inductively couppled pplasma : the effect of gas additives

  • 이지면 (광주과학기술원 신소재공학과 전자재료연구센터) ;
  • 박성주 (광주과학기술원 신소재공학과 전자재료연구센터)
  • Published : 1999.02.01

Abstract

Keywords