Structural study of a GaN layer grown on (001) GaAs by MOCVD

  • 배인태 (광주과학기술원 신소재공학과 반도체박막연구실) ;
  • 성태연 (광주과학기술원 신소재공학과 반도체박막연구실) ;
  • 박용주 (KIST 반도체재료 연구실) ;
  • 김은규 (KIST반도체재료 연구실)
  • 발행 : 1998.02.01