$N_2O$를 이용하여 질화된 MOS 소자 게이트 산화막의 전하포획 특성분석

  • 장성수 (성균관대 전기전자 및 컴퓨터공학과) ;
  • 문성근 (성균관대 전기전자 및 컴퓨터공학과) ;
  • 노관종 (성균관대 전기전자 및 컴퓨터공학과) ;
  • 노용한 (성균관대 전기전자 및 컴퓨터공학과) ;
  • 이칠기 (성균관대 전기전자 및 컴퓨터공학과)
  • 발행 : 1998.06.01