Etch characteristics of GaN using inductively coupled ${Cl}_{2}/{BCl}_{3}$ plasmas

${Cl}_{2}/{BCl}_{3}$ 유도 결함형 플라즈마를 이용한 GaN 식각 특성

  • 이용혁 (성균관대학교 물리학과) ;
  • 김현수 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 권용성 (성균관대학교 물리학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 이재원 (삼성종합기술원, 광반도체연구실) ;
  • 유명철 (삼성종합기술원, 광반도체연구실) ;
  • 김태일 (삼성종합기술원, 광반도체연구실) ;
  • 우형철 (코리아 바큠테크(주))
  • Published : 1997.10.01