Ga${Cl}_{3}$를 이용한 HVPE에서 성장변수가 GaN의 성장특성에 미치는 영향

Effects of Growth Parameter on The Properties of Thick GaN Using HVPE with Ga${Cl}_{3}$

  • 백호선 (성균관대학교 재료공학과 광전재료 및 소자연구실) ;
  • 이저욱 (성균관대학교 재료공학과 광전재료 및 소자연구실) ;
  • 김태일 (삼성종합기술원 광전자연구실) ;
  • 김준홍 (삼성종합기술원 전자재료연구실) ;
  • 이상학 (삼성종합기술원 전자재료연구실) ;
  • 유지범 (성균관대학교 재료공학과 광전재료 및 소자연구실)
  • 발행 : 1997.10.01