$Si_3N_4$ 상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성

• 이찬용 (경북대학교 전자공학과) ;
• 배성찬 (경북대학교 전자공학과) ;
• 이종현 (경북대학교 전자공학과) ;
• 이재곤 (경북대학교 전자공학과) ;
• 최시영 (경북대학교 전자공학과) ;
• 박순섭 (전자부품종합기술연구소)

• 발행 : 1997.07.01

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