RF-MBE로 (0001) sapphire 기판위에 성장된 GaN, InGaN의 고온 열처리 효과

  • 박영신 (경상대학교 물리학과 진주 660-701) ;
  • 양창수 (경상대학교 물리학과 진주 660-701) ;
  • 박정환 (경상대학교 물리학과 진주 660-701) ;
  • 이정주 (경상대학교 물리학과 진주 660-701)
  • 발행 : 1997.07.01