Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)
- 1997.07a
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- Pages.131-134
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- 1997
Design and Characteristic Analysis of Snubber Circuits for MCT devices
MCT 소자를 위한 스너버 회로 특성 해석 및 설계
Abstract
McT는 MOS-게이트형 사이리스터로써 MOS-게이트형 턴-온 및 턴-오프 특성과 낮은 도통 전압을 나타내는 소자이다. 그러나 SOA(Safe Operation Area)가 상대적으로 작기 때문에 스너버 회로를 필요로 한다. 본 논문에서는 간단한 MCT PSPICE 모델을 사용하여 스위칭 특성과 RCD 스너버의 특성을 분석하였고 스너버 회로 설계방식을 제안하였다.
Keywords