Design and Characteristic Analysis of Snubber Circuits for IGBT devices

IGBT 소자를 위한 스너버회로 특성해석 및 설계

  • Published : 1997.07.21

Abstract

IGBT는 턴-오프 동안 높은 dv/dt를 재인가하면 기생적 NPN 트랜지스터를 강제로 도전시킬 수 있는 변위전류를 유기하는데 이것은 제어의 손실과 잠재적인 디바이스의 손상을 가져오므로 적절한 스너버회로의 설계가 필요하다. 본 논문에서는 IGBT의 SPICE 모델을 이용하여 스위칭 특성을 해석하고, 적절한 스너버 회로의 설계 방식을 제시하였다.

Keywords