Effect of Ti deposition temperature on $TiSi_2$ orientation and its thermal instability in heavily doped Si

Heavily doped Si에서 Ti 증착 온도가 $TiSi_2$ orientation 및 thermal instability 에 미치는 영향

  • 박보현 (현대전자산업 주식회사) ;
  • 유상호 (현대전자산업 주식회사) ;
  • 조병진 (현대전자산업 주식회사) ;
  • 김종철 (현대전자산업 주식회사)
  • Published : 1996.05.01