Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

The Study on Scaling Methodology for 0.1${\mu}{\textrm}{m}$ MOSFET′s

0.1${\mu}{\textrm}{m}$ MOSFET를 위한 스케일링 방법에 관한 연구

  • 신희갑 (중앙대학교 전기공학과) ;
  • 류찬형 (중앙대학교 전기공학과) ;
  • 김환준 (중앙대학교 전기공학과) ;
  • 이철인 (중앙대학교 전기공학과) ;
  • 최현식 (주성전문대 전기과) ;
  • 김태형 (여주전문대 전기과) ;
  • 서용진 (대불대학교 전기전자공학과) ;
  • 김창일 (대불대학교 전기전자공학과) ;
  • 장의구 (안양대학교 전기공학과)
  • Published : 1996.05.01
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Abstract

In this work, a scaling methodology to scale down to or below 0.1$\mu\textrm{m}$ is presented, considering a current process technology. 0.12$\mu\textrm{m}$ nMOSFET's with both good performance and reliability is designed by this methodology

Keywords