The Properties of Plasma CVD Titanium Nitride thin film using $N_{2}/H_{2}$ mixing gas

$N_{2}/H_{2}$ 혼합가스를 사용한 Plasma CVD Titanium Nitride 박막의 특성

  • 원석준 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 백수현 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 장영학 (한양대학교 전자공학과) ;
  • 오재응 (한양대학교 전자공학과) ;
  • 이현덕 (삼성전자 반도체 연구소) ;
  • 이상인 (삼성전자 반도체 연구소) ;
  • 최진석 (삼성전자 반도체 연구소)
  • Published : 1995.11.01