Er과 Ti dopping에 따른 InGaAs/Inpp의 반절연성연구

• 김충배 (동국대학교 물리학과) ;
• 조학동 (동국대학교 물리학과) ;
• 위영호 (동국대학교 물리학과) ;
• 이호상 (동국대학교 물리학과) ;
• 고남훈 (동국대학교 물리학과) ;
• 신동혁 (동국대학교 물리학과) ;
• 강태원 (동국대학교 물리학과) ;
• 원상현 (경희대학교 전자공학과) ;
• 정관수 (경희대학교 전자공학과)

• Kim, Chung-Bae (Dept. of Physics,Dongguk University) ;
• Jo, Hak-Dong (Dept. of Physics,Dongguk University) ;
• Wi, Yeong-Ho (Dept. of Physics,Dongguk University) ;
• Lee, Ho-Sang (Dept. of Physics,Dongguk University) ;
• Go, Nam-Hun (Dept. of Physics,Dongguk University) ;
• Sin, Dong-Hyeok (Dept. of Physics,Dongguk University) ;
• Gang, Tae-Won (Dept. of Physics,Dongguk University) ;
• Won, Sang-Hyeon (Dept. of Electronic Engineer Kyhnghee University) ;
• Jeong, Gwan-Su (Dept. of Electronic Engineer Kyhnghee University)

• 발행 : 1995.06.01

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