반절연 InP를 이용한 초고속 DFB 레이저 다이오드의 제작 및 특성 연구

  • 주홍로 (한국전자통신 연구소 화합물 반도체 연구부) ;
  • 김형문 (한국전자통신 연구소 화합물 반도체 연구부) ;
  • 김정수 (한국전자통신 연구소 화합물 반도체 연구부) ;
  • 오대곤 (한국전자통신 연구소 화합물 반도체 연구부) ;
  • 박종대 (한국전자통신 연구소 화합물 반도체 연구부) ;
  • 김홍만 (한국전자통신 연구소 화합물 반도체 연구부) ;
  • 편광의 (한국전자통신 연구소 화합물 반도체 연구부)
  • Published : 1995.06.01

Abstract

반절연 InP를 전류 차단층으로 사용하는 초고속 변조 Distributed Feedback (DFB) 레이저의 다이오드를 제작 하였다. Grating이 형성된 InP 기판에 유기금속 증착법 (MOVPE)을 사용하여 다중 양자 우물 구조 성장 시켜 메사구조를 연성 한후, 전류 차단층으로 반절연 InP를 성장 하였다. 제작된 레이저 다이오드는 평균 문턱전류 10 mA, 기울기효율 14%이며, 30mA 구동 전류에서 10GHz 이상의 3dB 대역폭 특성을 보였다.

Keywords