Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 1993.05a
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- Pages.39-43
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- 1993
Properties of the oxynitride films prepared by reoxidation of thermal oxide in $N_2O$
$N_2O$ 가스에서 열산화막의 재산화에 의해 형성된 oxynitride막의 특성
- Bae, Sung-Sig (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Lee, Cheol-In (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Choi, Hyun-Sik (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Seo, Yong-Jin (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Kim, Tae-Hyung (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Kim, Chang-Il (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Chang, Eui-Goo (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.)
- 배성식 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 이철인 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 최현식 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 서용진 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 김태형 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 김창일 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 장의구 (중앙대학교 전기공학과)
- Published : 1993.05.15
Abstract
Electricial characteristics of gate dielectrics prepared by reoxidation of thermal
Keywords