The Influence of Ba Shortage on the Microwave Dielectric Properties of Ba Ba(Zn$_{1}$3Ta$_{2}$3)O$_3$

BA 결핍이 Ba(Zn$_{1}$3Ta$_{2}$3)O$_3$의 마이크로파 유전 특성에 미치는 영향

In this study, Sintering behavior, Crystallographic structure, Microwave Dielectric properties of the nonstoichiometric Ba$\_$1-x/(Zn$\_$1/3/Ta$\_$2/3/)O$_3$with 0 x 0.04 were investigated. A small amount(lmol%) of MnO$_2$is doped to the sample to complete the sintering. The degree of Zn and Ta ordering in B site and Lattice distortion were promoted by reducing Ba concentration. At x=0.01, Unloaded Q value reached above 7500 (at 10.5 GHZ) ; however, above x=0.01, Q value was greatly decreased, in spite of saturation in Zn-Ta ordering. At x=0.01, The Dielectric constant was 30 at 10.5GHz. and The Temperature Coefficient was estimated as 2ppm/$^{\circ}C$.

본 연구에서는 소량(lmol%)의 MnO$_2$를 첨가한 Ba(Zn$_{1}$3Ta$_{2}$3)O$_3$에서 미량(x)외 Ba를 결핍 시켜가면서 마이크로파 유전 특성과 소결성, 구조적 특성을 관찰하였다. XRD분석을 통하여 Ba의 부족량이 증가함에 따라 Ba(Zn$_{1}$3/Ta$_{2}$3/)O$_3$B site의 규칙화와 격자 비틀림(Lattice Distortion)이 촉진되었다. 무부하 Q값은 10.5GHz에서 x가 0.01일때 가장 높은 간(8500)을 나타내었으나 이 후에는 급격히 감소하였고 온도 계수는 Ba의 부족량이 중가함에 따라 중가하였고, x가 0.01일때는 약 2ppm/$^{\circ}C$였다.