Trimethylgallium과 Arsine을 이용하여 Ultra High Vacumm Chemical Vappor Depposition 방법으로 성장된 GaAs의 탄소 함유 과정에 관한 연구

  • 노정래 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 박성주 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 심재기 (한국전자통신연구소 기초기술연구부) ;
  • 이일향 (한국전자통신연구소 기초기술연구부)
  • 발행 : 1993.02.01