Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 1993.07b
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- Pages.1295-1297
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- 1993
Properties of the oxynitride films formed by thermal oxidation in $N_2O$
$N_2O$ 가스에서 열산화에 의해 형성된 oxynitride막의 특성
- Bae, Sung-Sig (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Lee, Cheol-In (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Choi, Hyun-Sik (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Seo, Yong-Jin (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
- Kim, Tae-Hyung (Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
-
Kim, Chang-Il
(Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.) ;
-
Chang, Eui-Goo
(Dept. of Electrical Eng., Chung-Ang Univ.)
- 배성식 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 이철인 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 최현식 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 서용진 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 김태형 (중앙대학교 전기공학과) ;
-
김창일
(중앙대학교 전기공학과) ;
-
장의구
(중앙대학교 전기공학과)
- Published : 1993.07.18
Abstract
Properties of oxynitride films oxidized by
Keywords