Behavior of Oxygen pprecippitates during SIMOX SOI Fabrication and Their Influences to the Electrical ppropperty

SIMOX SOI 제조시 산소석출물의 거동과 전기적 특성에 미치는 영향

2X1018 ions/cmz at 180 keV and post-implantation annealing at 12500C for 6 hours in nitrogen ambient. The oxygen redistribution process during post-implantation annealing was examined by AES and TEM. The electrical property of the structure was investigated by SRP method. We could find oxygen precipitates in SOl layer after high temperature annealing. The influence of the precipitates to the electrical property of the SOl layer was discussed. And the Iimiting factor to the decrease of the precipi tates during post-implantation anneal ing was discussed also.

2$\times$1018 ions/$\textrm{cm}^2$ 의 산소이온이 180 keV 로 주입된 실리콘웨이퍼를 125$0^{\circ}C$에서 6시간동안 질소분위기로 열처리하여 SIMOX SOI 구조를 제조하였다. 이온주입 후 열처리 과정에서 산소원자의 거동을 AES 와 TEM 으로 분석하였고, SRpp 법으로 시료의 전기적 특성을 조사하였다. 그 결과 고온의 열처리 후에 SOI 층 내에 산소적출물이 존재하고 있음을 관찰할 수 있었으며 이들은 SOI 층의 전기적특성에 심각한 영향을 미침을 알았다. 그리고 열처리과정에서 SOI 층 내 산소농도의 감소는 이들 석출물의 성장소멸기구에 지배됨을 알았다.