대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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- Pages.286-289
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- 1991
1 ${\mu}m$ CMOS 소자의 대칭적인 문턱전압 결정을 위한 최적 이온주입 시뮬레이션
Simulation of optimal ion implantation for symmetric threshold voltage determination of 1 ${\mu}m$ CMOS device
- 서용진 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 최현식 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 이철인 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 김태형 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 김창일 (중앙대학교 전기공학과) ;
- 장의구 (중앙대학교 전기공학과)
- Seo, Yong-Jin (Dept. of Electrical Eng.,Chung-Ang Univ.) ;
- Choi, Hyun-Sik (Dept. of Electrical Eng.,Chung-Ang Univ.) ;
- Lee, Cheol-In (Dept. of Electrical Eng.,Chung-Ang Univ.) ;
- Kim, Tae-Hyung (Dept. of Electrical Eng.,Chung-Ang Univ.) ;
- Kim, Chang-Il (Dept. of Electrical Eng.,Chung-Ang Univ.) ;
- Chang, Eui-Goo (Dept. of Electrical Eng.,Chung-Ang Univ.)
- 발행 : 1991.11.22
초록
We simulated ion implantation and annealing condition of 1
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